同时,三星透露该公司已经生产出了全球首个基于Gate All Around(GAAFET)技术的3nm原型工艺。该工艺不同于用于创建7nm和5nm芯片的常规FinFET工艺。 GAAFET表面上将硅尺寸减小了35%,并且报告强调三星3nm的性能比5nm半导体好33%。在我们最新的有关迦南和比特大陆配备5nm采矿设备的生产报告中,提到5nm芯片的性能比7nm的前代产品高15%。消息来源强调,台积电在5纳米制造方面进行了大量投资,而大多数5纳米芯片将来自台湾制造商。但是,有报道强调,苹果已经预留了台积电5纳米产能的三分之二。这意味着BTC挖矿制造商将不得不竞争剩余的供应,或寻求三星的3nm制造技术。